Sic632

SIC632 50A etapa de potencia integrada SiC632 es una solución de etapa de potencia integrada, optimizada para aplicaciones reductoras síncronas, que ofrece alta corriente; alta eficiencia y rendimiento de alta densidad de potencia. Al permitir diseños de reguladores capaces de entregar hasta 50 A por fase de corriente continua, el SiC632 cuenta con un CI de controlador de puerta MOSFET avanzado que proporciona un rendimiento de referencia de la industria con pérdidas de conmutación y conducción significativamente reducidas. Cuenta con capacidad de accionamiento de alta corriente, control de tiempo muerto adaptativo, Diodo Schottky bootstrap integrado， sistema de advertencia de advertencia térmica (THWn) para temperatura de unión alta y detección de corriente cero para mejorar la eficiencia de carga liviana. Estos conducir también son compatibles con varios controladores PWM y admiten lógica PWM de tres estados y PWM de 5 V. Disponible en un paquete MLP de 5 mm * 5 mm. Es un chip de reparación común que se utiliza para reparar el suministro de energía de plataformas de criptominería como Antminer, Innosilicon, Whatsminer, etc.

Características:

un MOSFET de lado bajo con diodo Schottky integrado

Funcionamiento de alta frecuencia hasta 1.5 MHz

MOSFET de potencia optimizados para etapa de entrada de 19 V

El control de detección de corriente cero mejora la eficiencia de carga ligera

Retardo de propagación PWM bajo (< 20 ns)

Más rápido deshabilitar

Bandera del monitor térmico

Bloqueo por subtensión VCIN

Aplicaciones:

VRD multifase para informática, tarjeta gráfica y memoria

Módulo VR CC/CC con entrada de carril de hasta 24 V

Intel IMVP-8 VRPower entregado: plataformas VCORE, VGRAPHICS, VSYSTEM AGENT Skylake, Kabylake; VCCGI para plataformas Apollo Lake