SLF18N50C

El MOSFET SLF18N50C 18A 500V se produce utilizando la avanzada tecnología DMOS de banda plana de Maple semi, especialmente diseñada para minimizar la resistencia, proporcionar un excelente rendimiento de conmutación y soportar pulsos de alta energía en modos de avalancha y conmutación. Estos dispositivos son ideales para fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia y corrección activa del factor de potencia basada en topologías de medio puente.

Este es un producto original completamente nuevo, y el precio puede ser más caro que el producto sustituto, pero la calidad está garantizada; bienvenido a comprar!

Parametros del producto:

Código de modelo: SLF18N50C

Tipo de transistor: MOSFET

Tipo de canal de control: canal N

Consumo máximo de energía (Pd): 41 W

Tensión máxima entre drenaje y fuente |Vds|: 500 V

Voltaje máximo de fuente de puerta |Vgs|: 30 V

Tensión máxima de umbral de puerta |Vgs(th)|: 5 V

Corriente de drenaje máxima |Id|: 18 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150°C

Carga total de la puerta (Qg): 69 nC

Tiempo de subida (tr): 43,5 ns

Capacitancia de drenaje-fuente (Cd): 335 pF

Resistencia máxima en la fuente de drenaje (Rds): 0,283 ohmios

Paquete: TO220F

Características:

- 18A, 500V, RDS(activado)típ. = 236 mΩ@VGS = 10 V

- Carga de compuerta baja (típica 69nC)

- Alta robustez

- Cambio rápido

- 100% probado contra avalanchas

- Capacidad DV/DT mejorada