TP65H035G4WS

El FET de nitruro de galio (GaN) TP65H035G4WS de 650 V y 35 mΩ es un dispositivo normalmente apagado que utiliza la plataforma Gen IV de Transphorm. Combina HEMT GaN de alto voltaje de última generación con MOSFET de silicio de bajo voltaje para brindar confiabilidad y rendimiento excepcionales. Utiliza epitaxia avanzada y técnicas de diseño patentadas para simplificar la capacidad de fabricación al tiempo que aumenta la eficiencia del silicio al reducir la carga de puerta, la capacitancia de salida, la pérdida de cruce y la carga de recuperación inversa.

Este es un producto original nuevo y el precio puede ser más caro que el producto sustituto, pero la calidad está garantizada; bienvenido a comprar!

Característica:

• Tecnología GaN conforme a JEDEC

• Prueba de producción dinámica RDS(on)eff

• Diseño robusto impulsado por

— Amplio margen de seguridad de la puerta

— Capacidad de sobretensión transitoria

• Mejorado capacidad de corriente de sobretensión

• QRR muy bajo

• Pérdida de cruce reducida

Beneficio:

• Admite el diseño PFC de tótem sin puente AC-DC

— Mayor densidad de potencia

— Reducir el tamaño y el peso del sistema

— Menor costo general del sistema

• Mejora la eficiencia de los circuitos de conmutación dura y suave

• Fácil de conducir con comúnmente utilizado portón conductores

• El diseño de pines GSD mejora los diseños de alta velocidad

Solicitud:

• comunicación de datos

• Amplia gama de industrias

• Inversores fotovoltaicos

• servo motor