PKCH2BB FET

Transistor de efecto de campo PKCH2BB

Transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N PKCH2BB PDFN 5x6P

Características:

Libre de Pb, libre de halógenos y compatible con RoHS.

RDS bajo (activado) para minimizar las pérdidas de conducción.

Región óhmica Buena relación RDS (activada).

Carga de puerta optimizada para minimizar las pérdidas por conmutación.

Parametros del producto:

Clasificaciones máximas absolutas (T_A = 25 ° C)

V _(BR) DSS: 30 V

V_GS: ± 20 V

R_{DS (ENCENDIDO)}: 0,99 mΩ

Rango de temperatura de almacenamiento y unión de funcionamiento: -55 a 150 ° C

Corriente de drenaje continua:

T_C = 25 ° C: 228A

T_C = 100 ° C: 145A

Corriente de drenaje continua:

T_A = 25 ° C: 50A

T_A = 70 ° C: 50A

Corriente de drenaje pulsada: 350A

Designador de tipo: PKCH2BB

Tipo de transistor: MOSFET

Tipo de canal de control: N -Channel

Disipación máxima de potencia (P_d): 5 W

Voltaje máximo de drenaje-fuente (V_ds): 30 V

Voltaje máximo de fuente de puerta (V_gs): 20 V

Voltaje máximo de umbral de puerta (V_{gs (th)}): 2,35 V

Corriente máxima de drenaje (I_d): 50 A

Temperatura máxima de unión (T_j): 150 ° C

Carga total de la puerta (Q_g): 128 nC

Tiempo de subida (t_r): 49 nS

Capacitancia de la fuente de drenaje (C_d): 1052 pF

Resistencia máxima en estado activado de la fuente de drenaje (R_ds): 0,00099 Ohm