BSC014N04LS

Las familias de productos BSC014N04LS de 40 V cuentan con el R DS (encendido) más bajo de la industria y un comportamiento de conmutación perfecto para aplicaciones de conmutación rápida. Además, la tecnología avanzada de obleas delgadas ha logrado un 15 % menos de R DS (encendido) y un 31 % menos de mérito (R DS (encendido) * Q g) en comparación con dispositivos alternativos.

Parametros del producto:

Designador de tipo: BSC014N04LS

Código de marcado: 014N04LS

Tipo de transistor: MOSFET

Tipo de canal de control: N -Channel

Máxima disipación de potencia (Pd): 2,5 W

Tensión máxima drenaje-fuente |Vds|: 40V

Voltaje máximo de fuente de puerta |Vgs|: 20V

Tensión máxima de umbral de puerta |Vgs(th)|: 2V

Corriente de drenaje máxima |Id|: 32A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150°C

Carga total de la puerta (Qg): 31nC

Tiempo de subida (tr): 9nS

Capacitancia de fuente de drenaje (Cd): 1200pF

Resistencia máxima en estado de fuente de drenaje (Rds): 0,0014 ohmios

Paquete: PG-TDSON-8

Características del producto:

Optimizado para la rectificación síncrona

Muy baja resistencia en estado activo RDS (encendido)

100 % probado contra avalanchas

Resistencia térmica superior

Canal N, nivel lógico

Cualificado según JEDEC para aplicaciones de destino

Recubrimiento de plomo sin plomo; RoHS

Libre de halógenos según IEC61249-2-21

Mayor confiabilidad de la junta de soldadura debido a la interconexión de fuentes ampliada

Aplicaciones:

Rectificación síncrona

Microinversor solar

Convertidores CC-CC aislados

Control del motor

interruptores or-ing