GP60S50X

Descripción del Producto

Transistor de potencia de canal N MOSFET GP60S50X, tensión de resistencia máxima de 600 V, corriente de 50 A, con paquete TO-247.

El GP60S50X es un MOSFET de alta potencia de canal N de 500 V y 60 A, utilizado principalmente en el interruptor principal de aumento de PFC de las fuentes de alimentación para minería ASIC. Es responsable de elevar la tensión de 220 V CA al bus de 380 V CC, constituyendo el núcleo de la conversión de energía de alta tensión en la etapa de entrada. Su carga de corriente es mayor que la del transistor primario LLC. Cuando el MOSFET GP60S50X sufre una avería, fugas en la puerta o envejecimiento de la resistencia interna, el fusible de la fuente de alimentación para minería se funde, lo que provoca la ausencia de salida, ciclos repetidos de arranque y parada, y un rápido sobrecalentamiento del disipador de calor. El funcionamiento prolongado con esta falla también puede quemar el puente rectificador, el chip controlador PFC y los condensadores electrolíticos del bus, causando carbonización de las pistas del PCB y, en casos graves, daños en la placa de hash.

Características del MOSFET de aumento de PFC GP60S50X:

Categoría de producto: Transistor de potencia

Tipo: MOSFET

MOSFET: canal N

Número de parte: GP60S50X

Paquete: TO-247

Exhibición del producto