60R037CS

El transistor de potencia IPW60R037CSFD 600V es una tecnología revolucionaria MOSFET para fuentes de alimentación de alto voltaje, un segmento de equipos optimizado para abordar el mercado de carga. La carga de compuerta baja (Qg) y el comportamiento de conmutación mejorado le otorgan la mayor eficiencia. Además, un diodo de cuerpo rápido integrado y una carga de recuperación inversa (Qrr) muy reducida dan como resultado la mayor confiabilidad de la topología resonante. Además, IPW60R037CSFD cumple con la eficiencia y admite soluciones de alta densidad de potencia.

Este es un producto original completamente nuevo y el precio puede ser más caro que el producto sustituto, pero la calidad está garantizada; ¡bienvenido a comprar!

Parametros del producto:

Código de modelo: IPW60R037CSFD

Código de marcado: 60R037CS

Tipo de transistor: MOSFET

Tipo de canal de control: canal N

Consumo máximo de energía (Pd): 245 W

Tensión máxima drenaje-fuente |Vds|: 600 V

Voltaje máximo de fuente de puerta |Vgs|: 20 V

Tensión máxima de umbral de puerta |Vgs(th)|: 4,5 V

Corriente de drenaje máxima |Id|: 54 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

Carga total de puerta (Qg): 136 nC

Tiempo de subida (tr): 30 nS

Capacitancia de drenaje-fuente (Cd): 104 pF

Resistencia máxima en la fuente de drenaje (Rds): 0,037 ohmios

Paquete: TO247

Características del producto:

• Diodo de cuerpo rápido

• Tarifas de recuperación inversa (Qrr) líderes en la industria

• optimización de costos

• Excelente robustez y confiabilidad en aplicaciones de conmutación suave

• Máxima eficiencia sin sacrificar la facilidad de uso/rendimiento

• Permite soluciones que aumentan la densidad de potencia