LND7N65

Descripción del Producto

Los MOSFET de potencia de canal N LND7N65 se fabrican con tecnología VDMOS planar avanzada. El producto cuenta con baja resistencia, rendimiento de conmutación superior y alta energía de avalancha.

El LND7N65 es un MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje con una tensión nominal de 650 V, una corriente de drenaje continua de 7 A y una resistencia de encendido estándar de 1,4 Ω. Se presenta en un encapsulado TO220F totalmente aislado y de montaje pasante, y actúa como interruptor principal en la fuente de alimentación auxiliar flyback de reserva para mineros ASIC. Es responsable de establecer la fuente de alimentación de reserva de bajo voltaje para todo el equipo, proporcionando la alimentación básica para el chip de control principal, la detección del ventilador y los circuitos de control de señal. Se utiliza comúnmente para reparar fallos en la fuente de alimentación, como cortocircuitos en el MOSFET, circuitos abiertos internos, fugas en la puerta y envejecimiento térmico, que provocan que los mineros no arranquen, se reinicien repetidamente o presenten fluctuaciones en la tasa de hash.

Parámetros del MOSFET de alto voltaje LND7N65:

V_DSS 650V

I_D 7A

R_{DS (on), máx.} 1,4 Ω

Q_{g, tipo} 20.7nC

Características del transistor LND7N65 de 650 V y 7 A:

RDS bajo (activado)

Carga de compuerta baja (típ. Qg = 20,7 nC)

100% UIS probado

RoHS

Aplicaciones del MOSFET LND7N65:

Corrección de la facción de poder

Fuentes de alimentación conmutadas

controlador LED

Exhibición del producto

Exhibición del embalaje