IPW60R037CSFD

Los MOSFET de potencia de alto voltaje IPW60R037CSFD de 600 V están hechos a medida y optimizados para el segmento de carga de vehículos eléctricos fuera del vehículo. Ofrece la mayor eficiencia en el mercado objetivo gracias a la baja carga de puerta (Qg) y al comportamiento de conmutación mejorado. Además, tiene un diodo de cuerpo rápido integrado y una carga de recuperación inversa (Qr) muy baja para la más alta confiabilidad en topologías resonantes.

Este es un producto original completamente nuevo, y el precio puede ser más caro que el producto sustituto, pero la calidad está garantizada; bienvenido a comprar!

Parámetro del producto:

Designador de tipo: IPW60R037CSFD

Código de marcado: 60R037CS

Tipo de transistor: MOSFET

Tipo de canal de control: N -Channel

Máxima Disipación de Potencia (Pd): 245 W

Tensión máxima entre drenaje y fuente |Vds|: 600 V

Voltaje máximo de puerta-fuente |Vgs|: 20 V

Tensión máxima de umbral de puerta |Vgs(th)|: 4,5 V

Corriente máxima de drenaje |Id|: 54 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

Carga total de puerta (Qg): 136 nC

Tiempo de subida (tr): 30 nS

Capacitancia de drenaje-fuente (Cd): 104 pF

Resistencia máxima en estado de fuente de drenaje (Rds): 0,037 ohmios

Paquete: TO247

Característica:

• Diodo de cuerpo rápido

• Cargo de recuperación inversa líder en la industria (Qr)

• Mínimo FOM Ros(anQ, andRs(on)Eoss

• Optimización de costos

• Excelente durabilidad y confiabilidad de conmutación dura en aplicaciones de conmutación suave

• Máxima eficiencia con una excelente relación entre facilidad de uso y rendimiento

• Soluciones para mayor densidad de potencia

• Relación precio/rendimiento equilibrada del potencial del mercado de carga de vehículos eléctricos

Solicitud:

• Ideal para aplicaciones de puente completo con cambio de fase (ZVS), LLC y PFC de topología de conmutación suave y dura optimizada: carga de EV.

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