LSB65R041GF

El MOSFET de potencia LSB65R041GF N-Channel de 650 V, 78 A y 0,041 Ω se fabrica con tecnología avanzada de súper unión. Tiene una resistencia muy baja, lo que lo hace especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una excelente densidad de potencia y una excelente eficiencia.

Este es un producto original completamente nuevo, y el precio puede ser más caro que el producto sustituto, pero la calidad está garantizada; bienvenido a comprar!

Parámetro del producto:

Designador de tipo: LSB65R041GF

Tipo de transistor: MOSFET

Tipo de canal de control: N -Channel

Disipación máxima de potencia (Pd): 500 W

Tensión máxima entre drenaje y fuente |Vds|: 650 V

Voltaje máximo de puerta-fuente |Vgs|: 30 V

Tensión máxima de puerta-umbral |Vgs(th)|: 4 V

Corriente máxima de drenaje |Id|: 78 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

Carga total de la puerta (Qg): 110 nC

Tiempo de subida (tr): 52 nS

Capacitancia de drenaje-fuente (Cd): 4800 pF

Resistencia máxima en estado de fuente de drenaje (Rds): 0,041 ohmios

Paquete: TO-247

Características:

• RDS ultrabajo (activado)

• Carga de compuerta ultrabaja (típ. Qg = 110 nC)

• 100 % probado por UIS

• RoHS

Aplicaciones:

• Corrección de facciones de poder (PFC).

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).

• Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI).

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LSB65R041GT