NT5CC128M16IP-DI

NT5CC128M16IP-DI es un chip de memoria DDR3 en la placa de control S9, que puede realizar operaciones de alta velocidad. Está configurado internamente como ocho bancos de DRAM. Los chips de 2 Gb están organizados como dispositivos de banco de 32 Mbit x 8 I/O x 8 o de 16 Mbit x 16 I/O x 8. Estos dispositivos síncronos permiten tasas de transferencia de datos dobles de alta velocidad de hasta 1866 Mb/seg/pin para aplicaciones de propósito general.

El chip está diseñado para cumplir con todas las funciones clave de DDR3(L)DRAM, y todas las entradas de control y dirección están sincronizadas con un par de relojes diferenciales suministrados externamente. Las entradas se bloquean en los puntos de cruce de los relojes diferenciales (CK ascendente y CK descendente). Todas las E/S son fuente síncrona con DQS de un solo extremo o pares de DQS diferenciales.

Característica de producto:

• Cumple con JEDEC DDR3

- Arquitectura de captación previa 8n

- Reloj diferencial y estroboscopio de datos.

- Doble tasa de datos en DQ, DQS y DM

• Integridad de los datos

- Actualización automática automática (ASR) TS con DRAM incorporada

- Modo de actualización automática y actualización automática

• Modo de ahorro de energía

- Actualización automática de matriz parcial (PASR)

- modo de apagado

• Integridad de la señal

- DS configurable para la compatibilidad del sistema

- Terminación en chip configurable

- Calibración ZQ para precisión de impedancia DS/ODT a través de almohadillas ZQ externas (240 ohmios ±1 %)

• Sincronización de señales

- nivelación de escritura a través de la configuración de MR

- lectura de nivelación a través de MPR

• Interfaz y fuente de alimentación

- SSTL_15 para DDR3: VDD/VDDQ=1.5V(±0.075V)

- SSTL_1353 para DDR3L: VDD/VDDQ=1,35 V (-0,067/+0,1 V)

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