G1N65R035TB-N

MOSFET de canal N G1N65R035TB-N

El G1N65R035TB-N es un FET de nitruro de galio (GaN) híbrido normalmente apagado con la puerta más fuerte y la caída de voltaje inverso más baja de cualquier dispositivo de banda prohibida ancha. Permiten simples portón impulsa y proporcionar el mejor rendimiento de su clase y una excelente confiabilidad. Se utiliza comúnmente para reemplazar piezas defectuosas de la fuente de alimentación P221B.

Este es un producto original nuevo y el precio puede ser más caro que el producto sustituto, pero la calidad está garantizada; bienvenido a comprar!

Característica:

• Puerta fuerte con un umbral alto, no se requiere accionamiento de puerta negativo y alta tolerancia de voltaje de entrada repetitivo de ±20V.

• Velocidad de encendido/apagado rápida para reducir la pérdida de cruce.

• Control de compuerta simple y QG bajo para un consumo de controlador más bajo a altas frecuencias.

• La VF de conducción inversa fuera de estado más baja de todos los FET de SiC y GaN, lo que permite pérdidas bajas durante el tiempo muerto.

• QRR bajo para excelentes aplicaciones de puente de conmutación dura.

• La alta tolerancia a picos de 800 V mejora la confiabilidad.

Prueba de valor DS:

Beneficio:

• Lograr la mayor eficiencia de conversión.

• Proporciona frecuencias más altas para fuentes de alimentación compactas.

• Ahorro en costo y tamaño del producto final debido a la reducción del presupuesto térmico.

• Seguridad y confiabilidad mejoradas debido a una temperatura de operación más fría.

Solicitud:

• Reductor/elevador de medio puente, circuito PFC de tótem o circuito inversor.

• Cambio de fase de alta eficiencia/alta frecuencia, LLC u otras topologías de conmutación.