G1N65R035TB-N

Descripción del Producto

MOSFET de canal N G1N65R035TB-N

El G1N65R035TB-N es un FET de nitruro de galio (GaN) híbrido normalmente apagado con la puerta más fuerte y la caída de voltaje inverso más baja de cualquier dispositivo de banda prohibida ancha. Permiten simples portón impulsa y proporcionar el mejor rendimiento de su clase y una excelente confiabilidad. Se utiliza comúnmente para reemplazar piezas defectuosas de la fuente de alimentación P221B.

El transistor FET G1N65R035TB-N (GaN) cuenta con una tensión nominal de resistencia de 650 V, una tensión máxima de resistencia de 800 V, una resistencia de encendido ultrabaja de 35 mΩ y una corriente continua nominal de 46,5 A. Se presenta en un encapsulado térmico estándar TO247 de orificio pasante y es un componente de repuesto para el interruptor de potencia en el circuito de medio puente resonante LLC de la fuente de alimentación para minería Whatsminer P221B. Está diseñado específicamente para la sustitución y reparación integral de fallos en la fuente de alimentación causados por roturas de transistores GaN, fugas en la puerta y envejecimiento térmico, incluyendo problemas como ausencia de salida, caída de tensión en carga, fallos frecuentes de protección y cortes de energía repetidos.

Este es un producto original nuevo y el precio puede ser más caro que el producto sustituto, pero la calidad está garantizada; bienvenido a comprar.

Características del transistor de potencia GaN G1N65R035TB-N:

• Puerta fuerte con un umbral alto, no se requiere accionamiento de puerta negativo y alta tolerancia de voltaje de entrada repetitivo de ±20V.

• Velocidad de encendido/apagado rápida para reducir la pérdida de cruce.

• Control de compuerta simple y QG bajo para un consumo de controlador más bajo a altas frecuencias.

• La VF de conducción inversa fuera de estado más baja de todos los FET de SiC y GaN, lo que permite pérdidas bajas durante el tiempo muerto.

• QRR bajo para excelentes aplicaciones de puente de conmutación dura.

• La alta tolerancia a picos de 800 V mejora la confiabilidad.

Prueba de valor DS del G1N65R035TB-N:

Ventajas del transistor GaN G1N65R035TB-N:

• Lograr la mayor eficiencia de conversión.

• Proporciona frecuencias más altas para fuentes de alimentación compactas.

• Ahorro en costo y tamaño del producto final debido a la reducción del presupuesto térmico.

• Seguridad y confiabilidad mejoradas debido a una temperatura de operación más fría.

Aplicaciones del FET GaN 1N65R035TB-N:

• Reductor/elevador de medio puente, circuito PFC de tótem o circuito inversor.

• Cambio de fase de alta eficiencia/alta frecuencia, LLC u otras topologías de conmutación.

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